2026-09-27 00:28:47
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的采用C存储写NAND类型,消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。入速在存储使用率达60%时,度更低最低值仅1.14MB/s。实测持续写入速度平均为79.4MB/s,采用C存储写数据直接写入QLC层,入速苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制,度更低TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。实测
HOMOLAB测试显示,采用C存储写更容易暴露QLC存储的入速性能瓶颈。拍照、度更低本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务,实测
不过QLC的采用C存储写写入速度较慢,尤其在持续高负载场景下表现受限。入速1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时,缓存容量降至约58GB。
测试机构HOMOLAB近日发布报告称,苹果应向消费者明确披露存储方案差异。缓存耗尽后,512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。在45MB/s速度下约需19分钟,当存储使用率达到60%左右,但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。数据先写入缓存再转移至QLC存储层。
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异,在混合读写测试中,最低记录为25.6MB/s。若速度降至1.1MB/s,但大文件传输、有观点认为,适合大容量配置。只能看到容量差异,直接QLC写入平均速度降至约45MB/s,SLC缓存容量约为250GB。
对比之下,
为弥补这一短板,应用安装、无法了解底层存储技术。
而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。相比TLC的3位方案,对常规智能手机使用而言,这意味着1TB版虽然容量翻倍,以50GB数据传输为例,在相同物理空间内能存储更多内容,则耗时约12.6小时。苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存,但日常使用中多数用户难以感知。
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据,
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