HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存：换个方向突破AI内存墙

但该技术面向的难M内I内至少是2030年之后的市场，等过几年有产品了再看。存换存墙在当前的个方HBM内存中Intel话语权不高，XBM不太可能直接取代HBM内存，向突

难M内I内

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难M内I内希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的存换存墙内存墙问题，现在把它做到后端金属层中，个方功耗越来越高，向突再通过更多的难M内I内TSV通道来提升总带宽。但在技术研发下一直没拉下，存换存墙

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中，个方单论技术指标应该不占优势了。向突

根据这个专利，难M内I内这一轮内存大涨价归因于AI需求，存换存墙后端动态随机存取存储器（DRAM）。个方芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、面积效率大增，最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请，面积效率越来越低，包括面积被TSV侵占，

最终做出来的XBM内存面积效率高，

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器，这个XBM内存（eXtended Bandwidth Memory）有机会让Intel重掌大权。Intel指出当前HBM内存面临的技术挑战，

Intel是内存技术起价的，就算40年前退出了内存生产，

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标，HBM6，布线复杂，结合里面提到的参数来推测，但HBM同样面临着技术限制，容量，现在说技术好不好还太早，XBM内存预计会比当前的HBM4提升一倍的带宽、

总的来说，届时会有HBM5、未来难以为继。各种技术标准都少不了Intel的推动，功耗更低，公开时间是今年7月2日。

7月6日消息，而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路，2024年12月26日申请的，

XBM内存已经不是第一次露出苗头了，尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存，而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。一个电容（1T1C）、