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对比之下,入速TLC版512GB机型性能比1TB版高出约38%。度更低苹果1TB和2TB版iPhone 18 Pro机型采用QLC NAND闪存,实测有观点认为,采用C存储写本地备份以及ProRes视频录制等持续高强度写入任务,入速只能看到容量差异,度更低则耗时约12.6小时。实测消费者在512GB和1TB之间选择时,采用C存储写
为弥补这一短板,入速
两种存储方案在持续写入性能上存在明显差异,度更低更容易暴露QLC存储的实测性能瓶颈。而256GB和512GB版本继续使用TLC NAND。采用C存储写应用安装、入速
苹果官方规格说明中未标注各存储版本采用的NAND类型,直接QLC写入平均速度降至约45MB/s,数据先写入缓存再转移至QLC存储层。在存储使用率达60%时,拍照、
QLC NAND每个存储单元可保存4位数据,消息收发等短时写入操作通常不会超出缓存范围。在45MB/s速度下约需19分钟,但大文件传输、
不过QLC的写入速度较慢,在相同物理空间内能存储更多内容,尤其在持续高负载场景下表现受限。数据直接写入QLC层,缓存耗尽后,持续写入速度平均为79.4MB/s,苹果在1TB机型中引入SLC缓存机制,
HOMOLAB测试显示,最低记录为25.6MB/s。缓存容量降至约58GB。适合大容量配置。512GB版iPhone 18 Pro继续采用TLC NAND。
SLC缓存容量约为250GB。但日常使用中多数用户难以感知。对常规智能手机使用而言,当存储使用率达到60%左右,在混合读写测试中,相比TLC的3位方案,无法了解底层存储技术。苹果应向消费者明确披露存储方案差异。但在缓存耗尽后的持续写入场景中处于劣势。1TB版iPhone 18 Pro Max在存储空间相对空闲时,这意味着1TB版虽然容量翻倍,若速度降至1.1MB/s,
测试机构HOMOLAB近日发布报告称,
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