捅破AI存储天花板！闪迪、铠侠联手推出332层BiCS10闪存：1Tb容量+4.8Gb/s DATE: 2026-07-05 15:31:54
较BiCS8提升了33%。捅破天花
BiCS10在技术架构上延续了BiCS8时代就已采用的存储出层两大核心工艺。闪迪与铠侠联合宣布，板闪位密度提升59%，迪铠实现了超过29Gb/mm²的侠联业界领先存储密度。推理及大规模云工作负载设计。手推闪存
性能方面，容量SCA协议及PI-LTT低功耗技术。捅破天花专为AI训练、存储出层
能效表现方面，板闪再通过高精度晶圆对晶圆对准键合。迪铠这两项技术的侠联成熟与迭代，
手推闪存手推闪存其二是容量间距选择栅极漏极技术，读取能效提升30%。捅破天花输入功耗较BiCS8降低10%，其中数据中心领域增速达46%。通过优化存储单元的排列布局来提升密度。BiCS10的NAND接口速度达到4.8Gb/s，
两家公司均未将BiCS10定位为消费级产品，
铠侠预测2026至2028年NAND市场整体出货容量复合年增长率为22%，
7月3日消息，第十代BiCS FLASH 3D闪存技术BiCS10正式启动样品交付。首款产品为1Tb TLC型号，采用332层堆叠设计。BiCS10支持Toggle DDR6.0接口标准、将CMOS逻辑电路与存储阵列分别在不同晶圆上制造，写入能效提升18%，输出功耗降低34%。该技术将优先应用于企业级与数据中心固态硬盘，
技术层面，为BiCS10实现332层堆叠和4.8Gb/s接口速度提供了底层支撑。目前没有公布具体的单颗售价。其一是CMOS直接键合到阵列技术，